?盡管由于美國在 2020 年底實施的限制，中國最大的代工廠中芯國際 (SMIC) 無法使用 ASML 的極紫外光刻 (EUV) 技術，但其在 7 納米工藝節點上的顯著提升令所有人感到意外。美國的出口管制限制意味著中國的晶圓廠無法制造 10 納米及以上的半導體。

　　眾所周知，這家位于上海的工廠已經完成了 14 納米 FinFET 技術，這使其落后于 7 納米技術兩代，比臺積電和三星提供的最先進工藝節點落后大約四年。但是，在逆向工程和拆解公司 TechInsights 在一篇博文中披露了中芯國際在 7 納米工藝上的輝煌之后，這種情況突然發生了變化。

　　2021 年夏天，中國的 MinerVa Semiconductor Corp. 在其網站上展示了用于比特幣挖礦的 7 納米芯片，但未命名制造工廠。然而，MinerVa 是中芯國際的客戶。SemiAnalysis 的首席分析師 Dylan Patel 是第一個發現這一發展的人。接下來，TechInsights 在公開市場上購買了該芯片，并開始在其實驗室中對其進行分析。

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　　資料來源：TechInsights

　　現在發現，中芯國際已經開始量產7nm N+2工藝節點的芯片。然而，這家中國半導體工廠在財報電話會議上并未提及其 7 納米產能。業內觀察人士普遍認為，中芯國際已使用其 14 納米 FinFET 技術開發 7 納米工藝節點。如果沒有 EUV 技術，中芯國際就無法開發超過 7 納米的工藝節點。

　　Patel 在他的博文中，將國家巨額補貼、挖走臺積電工程師以及大量本土專業知識歸功于中芯國際向 7 納米工藝幾何結構的進步。他還認為，中芯國際可能很快取代格羅方德，成為僅次于臺積電和三星的全球第三大晶圓廠。

　　中芯國際在上海的意外也引發了人們對美國對中國晶圓廠施加的與半導體制造技術相關的限制的質疑。在 TechInsights 的這一突破性發現之后，另一個值得關注的重要事情是，中國的晶圓廠如何在沒有使用 ASML 的 EUV 芯片制造技術的情況下進入更小的節點。